一种不妥协的材料。
金刚石是工厂能够制造的刚度最高、硬度最大、导热性最好的固体。它从深紫外到远红外都透明，对几乎一切化学物质都无动于衷，并且能承受让硅变成噪声的辐射剂量。唯一的困难，在于把它做成器件真正需要的形状、晶向和纯度。而这正是我们的工作。
我们以高温高压合成法生长单晶，以微波等离子体化学气相沉积生长多晶与同质外延层，并用同一条定向、激光切割、抛光与检测链完成两者的加工。
技术与材料数据七大产品系列，一条精加工线。
无论起点是 HPHT 晶体还是 CVD 晶圆，每个零件都经过同样的定向、切割、抛光与检测工位，并附带同样的材料护照出厂。
HPHT 成就晶体，CVD 成就面积。
高温高压
碳源、金属溶剂与籽晶被置于数吉帕压力和远高于 1 300 °C 的温度下，直到碳在籽晶上结晶为单一的立方八面体。所得晶体厚实、位错密度低，并具备压砧、窗口和高端衬底所要求的光学均匀性。
微波等离子体 CVD
在 2.45 GHz 激发的氢–甲烷等离子体中，碳逐个原子地凝结到加热的衬底上。在 HPHT 籽晶上生长的是单晶层；在硅或钼上生长的是多晶，可覆盖 50 mm 晶圆。这是大尺寸窗口、散热片、薄膜和探测器基片的生长路线。
从晶体到元件，五个工位。
无论生长路线如何，每个零件都经过同一套工序。检测设在工位之间，而不只是在终点。
定向
每颗晶体或每片晶圆在切割之前都先经 X 射线劳厄衍射定向，因此成品基片呈现的是您指定的晶面，而不是碰巧方便的那一个。
水导激光切割
激光耦合进细水射流，切割基片、圆片、压砧和多扇区形状，无热影响区，切缝损耗之小足以让 15 × 15 mm 衬底具备经济性。
研磨与抛光
基片先研磨平整，再抛光至单晶 Ra ≤ 5 nm、多晶 ≤ 10 nm，单面或双面，在需要抑制干涉条纹处保持楔角。
金属化与接合
溅射 Ti/Pt/Au、Ti/Ni/Au 或 Cr/Au 叠层，光刻图形化，以及与金属载体的真空钎焊，适用于需要焊接、加偏压或密封的零件。
检测与材料护照
每个零件均测量尺寸、平面度、粗糙度、晶向，以及相关的光学与电学参数，并记录在随货同行的材料护照中。
六个只有金刚石能胜任的位置。
我们的客户很少因为名声而选择金刚石。他们选择它，是因为之前的材料恰恰在那个位置失效了。
高压研究
用于金刚石对顶砧的压砧、砧座和垫板，成对配对，并按低荧光筛选。
- 静态高压压腔
- 高压下的拉曼与 X 射线衍射
- 地球科学与行星材料
激光与光子学
窗口、输出耦合镜、透镜与棱镜，在千瓦级光学负载下既不发热也不畸变。
- 高功率 CO₂ 与光纤激光器
- 回旋管与射频窗口
- 长波红外成像，8 – 14 µm
- 拉曼转换器与碟片激光器
热管理
置于 GaN、激光二极管与射频晶体管之下的散热片和热沉基座，适用于结温限制输出功率的场合。
- 激光二极管与 VCSEL 基座
- 射频与微波功率模块
- 高密度电力电子
同步辐射与加速器
束流位置监测器、荧光屏、带电极窗口与剥离箔，面向摧毁一切其他材料的束线。
- X 射线束流位置与通量监测器
- 真空窗口与滤片
- 重离子剥离箔
量子与电子学
氮、硼含量实测的基片，用于 NV 色心传感、抗辐照电子学与功率器件研究。
- NV 磁强计与 ODMR
- 硼掺杂电极
- 宽禁带器件衬底
工具与耐磨件
用于修整器、压头、车刀与模具的定向毛坯，让最硬的晶面迎向工件。
- 修整与整形工具
- 压头与测针
- 拉丝模与喷嘴
订单如何推进。
您提出问题
一张图纸、一份目标规格，或仅仅是零件必须承受什么的描述。库存基片可直接按尺寸和晶向订购。
我们以规格作答
一个工作日内，您将收到可制造的规格、我们在生产中将保证的公差、交期和价格。如果较低的等级就能胜任，我们会直言相告。
零件携护照出厂
库存规格十个工作日内发货。定制零件需四至十周。每批货物均附材料护照、合格证书和尺寸记录。
- 每个零件 100 % 尺寸与表面检测
- 材料护照记录实测值而非标称值
- 从生长批次到发货的序列号追溯
- 发货前完成最终用途审查与出口文件