七大产品系列，统一的规格语言。

S 系列基片切自以温度梯度法生长的 HPHT 单晶，并经筛选以获得大面积、无缺陷的工作面。由于晶体以立方八面体生长，我们可以从同一材料上切出 (100)、(110)、(111) 和 (113) 晶面的基片，并逐片测量和报告偏离角。

IIa 型材料氮含量低于 1 ppm，具备光学与光谱工作所要求的低双折射和低背景荧光。IIb 型材料在生长过程中掺入最高 10 ppm 的硼，成为 p 型半导体，用于电极、器件研究和抗辐照电子学。掺杂水平与电阻率按批次指定。

2.5 × 2.5 mm 至 10 × 10 mm、厚 0.5 mm、(100) 晶向的基片常备库存。最大 15 × 15 mm 的规格、其他厚度、其他晶面及多扇区基片按订单切割。

规格

材料

HPHT 单晶，IIa 或 IIb 型（掺硼）

氮含量，IIa 型

< 1 ppm

可选掺杂

硼，最高 10 ppm（IIb 型）

库存规格

2.5 × 2.5 → 10 × 10 mm · 0.5 mm · (100)

定制规格

最大 15 × 15 mm

厚度

0.25 – 1.5 mm · 其他厚度可定制

晶向

(100) · (110) · (111) · (113)

表面处理

单面或双面抛光，Ra ≤ 5 nm

双折射

低，可按需提供正交偏光图像

A 系列压砧切自无包裹体、无应力、无可见位错的 IIa 型 HPHT 晶体。低背景荧光与强度同等重要：红宝石与拉曼压力标定都依赖于它，而带应力的压砧恰恰会扭曲用于读取压力的信号。

我们提供平面与倒角设计，台面直径 2.60 mm 至 4.65 mm，砧面直径和倒角角度按您的图纸，并按几何与光学质量将压砧配对。一对压砧能达到的压力取决于砧面几何、垫片和加载方式，因此我们按每对压砧的护照逐一确认，而不是给出单一的宣传数字。

规格

材料

HPHT 单晶，IIa 型

设计

平面砧面 · 单倒角或多倒角

台面直径

2.60 – 4.65 mm

砧面与倒角

按图纸

筛选

无包裹体、低应力、低荧光

配对

可按需配对供应

文档

每只压砧一份护照，附配对记录

金刚石从约 225 nm 起透过可见光，并从约 6 µm 起再次透过直至远红外，其热导率使窗口能够在不产生热透镜效应的情况下散去千瓦级功率。O 系列涵盖最高光学质量的 10 mm 以内单晶窗口，以及在孔径比散射更重要时直径最大 50 mm 的多晶 CVD 窗口。

窗口可提供平面或 0.5 – 1° 楔形以抑制标准具条纹，可作为独立件，也可钎焊入通光孔径最大 30 mm 的法兰，氦漏率低于 1 × 10⁻⁹ mbar·l/s。透镜、棱镜与非圆形轮廓按图纸切割和抛光。

规格

材料

单晶 IIa 型（HPHT 或 CVD）· 多晶光学级

单晶规格

最大 10 × 10 mm · 15 × 15 可定制

多晶规格

最大 Ø 50 mm（2 in）

厚度

0.1 – 1.5 mm

表面处理

Ra ≤ 5 nm 单晶 · ≤ 10 nm 多晶

楔角

0.5 – 1° 可选

安装方式

独立件或钎焊，孔径 ≤ 30 mm

漏率，钎焊件

< 1 × 10⁻⁹ mbar·l/s He

Q 系列基片是 S 系列材料加上 NV 色心与器件研究所依赖的额外测量。替位氮由 FTIR 测量并逐片报告，硼含量按指定报告，晶向保持 (100) 或 (111)，偏离角记入护照。表面可抛光至 Ra ≤ 2 nm，用于浅注入和表面敏感的研究。

低氮 IIa 型基片和掺硼 IIb 型材料均可按此规格提供。处理后材料的相干数据和 NV 密度可为鉴定项目另行安排。

规格

材料

HPHT 单晶，IIa 或 IIb 型（掺硼）

氮含量

FTIR 逐片测量

硼含量

最高 10 ppm，按指定测量

规格

2 × 2 → 10 × 10 mm

厚度

0.3 – 1.0 mm

晶向

(100) · (111)，偏离角记入护照

表面处理

Ra ≤ 5 nm · 可选 ≤ 2 nm

相干数据

可另行安排

T 系列把金刚石直接放到热源之下。三种多晶 CVD 等级让您只为设计所需的热导率付费：工具级 700 – 800 W/m·K 适用于成本敏感的零件，导热级 900 – 1 200 W/m·K 适用于大多数激光二极管与射频基座，光学级 1 700 – 1 900 W/m·K 应对最棘手的问题。热导率超过 2 000 W/m·K 的单晶 IIa 型散热片可提供至 10 mm。

散热片出厂时平整光滑以降低界面热阻，以 Ti/Pt/Au、Ti/Ni/Au 或 Cr/Au 金属化，并在顶底面需要电隔离或焊盘必须精确止于边缘处进行光刻图形化。

规格

等级

工具级 700 – 800 · 导热级 900 – 1 200 · 光学级 1 700 – 1 900 W/m·K

单晶

IIa 型 > 2 000 W/m·K，最大 10 mm

规格，多晶

1.5 × 1.5 mm → Ø 30 mm，从 Ø 50 mm 晶圆激光切割

厚度

0.1 – 1.0 mm

表面处理

Ra ≤ 10 nm 多晶 · ≤ 5 nm 单晶

金属化

Ti/Pt/Au · Ti/Ni/Au · Cr/Au

图形化

光刻，面间隔离

连接方式

贴片键合、焊接、钎焊

金刚石的带隙、低原子序数和抗辐照能力，使它成为在硅失效之处仍能工作的传感器。D 系列从一款封装通用探测器开始：一片 4 × 4 × 0.5 mm 单晶电子级基片，带 3.5 × 3.5 mm 金属化电极，引线键合到带 SMA 接头的标准 PCB 上，并装入铝壳。也可提供带定制电极布局的裸片，供您自行封装。

面向同步辐射与加速器束线，我们制造三类金刚石束流位置监测器：用于目视检查的荧光屏、通过光电发射电流读取束流位置的金接触刀片监测器，以及带四个或更多电极、可对更小束斑成像并兼作真空窗口的带电极窗口。硅框架上 30 nm 起的薄膜与 10 – 20 µm 的自支撑箔（可按需刻蚀至 5 µm）构成该系列的其余部分。

规格

探测器模块

4 × 4 × 0.5 mm 单晶，3.5 mm 电极，SMA，铝壳

探测器基片

单晶至 10 mm · 多晶至 20 mm，定制电极

厚度，基片

50 · 100 · 300 · 500 µm

束流监测器

荧光屏、刀片、带电极窗口 ≤ 35 mm

硅框架薄膜

30 nm → 1 µm · 典型孔径 5 mm

自支撑箔

10 – 20 µm · 可刻蚀至 5 µm

表面处理

生长态 · Ra ≤ 5 nm

许多金刚石零件只有在与其他部件接合后才派上用场：超高真空法兰中的窗口、密封在壳体中的探测器、装在可操作载体上的薄膜。E 系列涵盖单晶与多晶金刚石同不锈钢、Inconel、Kovar、铜镍合金、钼和铜的真空钎焊，接头真空密封、导热良好并可烘烤至 300 °C。

近期项目包括钎焊到钼和铜镍合金座上的亚毫米波放大器窗口、Kovar 上的 10 µm 多晶 X 射线窗口、钎焊到铜环并激光焊接入镀镍镀金 Inconel 板的单晶窗口，以及不锈钢超高真空法兰上认证漏率低于 1 × 10⁻⁹ mbar·l/s 的 30 mm 多晶窗口。我们也曾将金刚石与金刚石、钼和硬质合金键合。

规格

载体材料

不锈钢 · Inconel · Kovar · CuNi · Mo · Cu

接合方式

真空钎焊 · 激光焊接 · 键合

通光孔径

最大 30 mm

金刚石厚度

10 µm → 1 mm

漏率

< 1 × 10⁻⁹ mbar·l/s He，经认证

烘烤

整件 200 – 300 °C

镀层

可选镀 Ni 与 Au